Разработан светодиод на основе кремния

Компания Intel разработала дешевый лавинный фотодиод (APD) для передачи информации по технологии кремниевой фотоники, сообщает Lenta.ru со ссылкой на Cnet News. Работа опубликована в научном журнале Nature Photonics.

Как правило, в кремниевой фотонике используются достаточно редкие и дорогие материалы. Например, фосфид индия и арсенид галлия. Представители Intel сумели создать APD на основе дешевого кремния и германия.

Кроме того, фотоприемник на основе нового APD Intel оказался мощнее аналогов. Это позволит, в частности, увеличить расстояние, на которое может быть передана информация с его помощью.

Опытный образец лавинного фотодиода Intel позволяет передавать информацию на скорости до 40 гигабит в секунду, что в два-три раза выше скорости аналогичных устройств. Максимальная скорость передачи данных, которую смогли достигнуть инженеры Intel, экспериментируя с новым APD, составила 200 гигабит в секунду.

Ожидается, что развитие кремниевой фотоники позволит заменить металлические соединения чипов на световые. Это в несколько раз увеличит скорость передачи информации. Одной из перспективных областей для использования кремниевой фотоники являются суперкомпьютеры.